Все о товаре
Характеристики
Отзывы
0
Вопросы0
В Прайме
Samsung 9100 PRO 4 TB (MZ-VAP4T0BW)
Код товара:
116586
Гарантия:
12 мес
Артикул:
MZ-VAP4T0BW
На складе
Наличие товара
-
Самовывоз из магазина сегодня
г. Харьков, ул. Маломясницкая, 6
Нет в наличии
г. Киев: ул. Софиевская, 1/2
Метро “Майдан Незалежности” Нет в наличии
Метро “Майдан Незалежности” Нет в наличии
Срок доставки от 3 часов до 3 дней
(уточняйте у менеджера)
(уточняйте у менеджера)
Удаленный склад
В наличии
49 363 ₴
Основні характеристики
Все →
Интерфейс
M.2 (PCI-E 5.0)
Максимальная скорость записи, МБ/с
13400
Максимальная скорость чтения, МБ/с
14800
Тип флеш-памяти
V-NAND TLC
Форм-фактор
M.2 2280
Объем, ГБ
4000
Характеристики
Характеристики
DRAM-буфер
+ (Samsung 4GB Low Power DDR4X)
Бренд
Samsung
Гарантия
12 мес
Интерфейс
M.2 (PCI-E 5.0)
Контроллер
Samsung in-house Controller
Линейка
9100 PRO
Максимальная скорость записи, МБ/с
13400
Максимальная скорость чтения, МБ/с
14800
Масса, г
9
Объем, ГБ
4000
Поддержка TRIM
есть
Размеры, мм
80,15 x 22,15 x 2,38
Ресурс записи (TBW), TB
2400
Серия
9100 PRO
Скорость случайного чтения блоками 4KB, IOPS
2200000
Скорость случайной записи блоками 4KB, IOPS
2600000
Среднее время безотказной работы (MTBF), млн. часов
1,5
Стойкость к ударам
1500g/0.5ms
Тип
SSD накопитель
Тип флеш-памяти
V-NAND TLC
Товар на сайте бренда
https://semiconductor.samsung.com/consumer-stor...
Форм-фактор
M.2 2280
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.