Все про товар
Характеристики
Відгуки
0
Питання0
Samsung 990 EVO Plus 2 TB (MZ-V9S2T0BW)
Код товару:
116583
Гарантія:
12 міс
Артикул:
MZ-V9S2T0BW
На складі
Наявність товару
-
Cамовивіз із магазину сьогодні
м. Харків. вул.Малом'ясницька, 6
Немає в наявності
м. Київ: вул. Софіївська, 1/2
Метро “Майдан Незалежності” Немає в наявності
Метро “Майдан Незалежності” Немає в наявності
Термін доставки від 3 годин до 3 днів
(уточнюйте у менеджера)
(уточнюйте у менеджера)
Віддалений склад
В наявності
15 550 ₴
Основні характеристики:
Інтерфейс:
M.2 (PCI-E 5.0)
Максимальна швидкість запису, МБ/с:
6300
Максимальна швидкість читання, МБ/с:
7250
Тип флеш-пам'яті NAND:
V-NAND TLC
Форм-фактор:
M.2 2280
Всі характеристики
Доставимо цей товар:
Кур'єром (м.Харків)
протягом дня
від 300 до 600 грн.
Оплата
Характеристики
Характеристики
Інтерфейс
M.2 (PCI-E 5.0)
Бренд
Samsung
Гарантія
12 міс
Контролер
Samsung Piccolo
Лінійка
990 EVO Plus
Максимальна швидкість запису, МБ/с
6300
Максимальна швидкість читання, МБ/с
7250
Маса, г
9
Наявність радіатора
є
Об'єм, ГБ
2000
Підтримка TRIM
є
Різне
Intelligent TurboWrite 2.0, TCG Opal 2.0, HMB (Host Memory Buffer), AES 256-bit Encryption (Class 0), IEEE1667 (Encrypted drive)
Ресурс запису (TBW), TB
1200
Розміри, мм
80.15x22.15x2.38
Серія
990 EVO Plus
Середній час безвідмовної роботи (MTBF), млн. годин
1,5
Стійкість до ударів
1500g/0.5ms
Тип
SSD накопичувач
Тип флеш-пам'яті NAND
V-NAND TLC
Товар на сайті бренду
https://semiconductor.samsung.com/us/consumer-s...
Форм-фактор
M.2 2280
Швидкість випадкового запису блоками 4KB, IOPS
1350000
Швидкість випадкового читання блоками 4KB, IOPS
1000000
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.