Все про товар
Характеристики
Відгуки
0
Питання0
Samsung 9100 PRO 8 TB (MZ-VAP8T0BW) OEM
Код товару:
120219
Гарантія:
3 міс
Артикул:
MZ-VAP8T0BW
На складі
Наявність товару
-
Cамовивіз із магазину сьогодні
м. Харків. вул.Малом'ясницька, 6
Немає в наявності
м. Київ: вул. Софіївська, 1/2
Метро “Майдан Незалежності” Немає в наявності
Метро “Майдан Незалежності” Немає в наявності
Термін доставки від 3 годин до 3 днів
(уточнюйте у менеджера)
(уточнюйте у менеджера)
Віддалений склад
В наявності
81 717 ₴
Основні характеристики:
Інтерфейс:
M.2 (PCI-E 5.0)
Максимальна швидкість запису, МБ/с:
13400
Максимальна швидкість читання, МБ/с:
14800
Тип флеш-пам'яті NAND:
V-NAND TLC
Форм-фактор:
M.2 2280
Всі характеристики
Доставимо цей товар:
 1.svg){kind=small}
 1.svg){kind=small}
Кур'єром (м.Харків)
протягом дня
від 300 до 600 грн.
Оплата
Готівка
Оплата на рахунок (+2%)
 1.svg){kind=small}
Безготівковий (+4%)
Характеристики
Характеристики
DRAM-буфер
+ (Samsung 8GB Low Power DDR4X)
Інтерфейс
M.2 (PCI-E 5.0)
Бренд
Samsung
Гарантія
3 міс
Контролер
Samsung in-house Controller
Лінійка
9100 PRO
Максимальна швидкість запису, МБ/с
13400
Максимальна швидкість читання, МБ/с
14800
Маса, г
9,5
Об'єм, ГБ
8000
Підтримка TRIM
є
Ресурс запису (TBW), TB
4800
Розміри, мм
80,15 x 22,15 x 3,88
Серія
9100 PRO
Середній час безвідмовної роботи (MTBF), млн. годин
1,5
Стійкість до ударів
1500g/0.5ms
Тип
SSD накопичувач
Тип флеш-пам'яті NAND
V-NAND TLC
Товар на сайті бренду
https://semiconductor.samsung.com/consumer-stor...
Форм-фактор
M.2 2280
Швидкість випадкового запису блоками 4KB, IOPS
2600000
Швидкість випадкового читання блоками 4KB, IOPS
2200000
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.